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的存储单元为三端器材，与场效应管有相同的称号：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来维护浮置栅极中的电荷不会走漏。选用这种结构，使得存储单元具有了电荷坚持才能，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就从始至终坚持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有回忆才能。
与场效应管相同，闪存也是一种电压操控型器材。NAND型闪存的擦和写均是根据地道效应，电流穿过浮置栅极与硅底层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电 (写数据)或放电(擦除数据)。而NOR型闪存擦除数据仍是根据地道效应(电流从浮置栅极到硅底层)，但在写入数据时则是选用热电子注入方法(电流从浮置栅极到源极)。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即大都载流子和反极性的少量载流子参加导电,因而称为双极型晶体管,而FET仅是由大都载流子参加导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它归于电压操控型半导体器材，具有输入电阻高(108～109)、噪声小、功耗低、动态规模大、易于集成、没有二次击穿现象、安全作业区域宽等长处，现在已经成为双极型晶体管和功率晶体管的强壮竞争者。
数据就寄存在floaTIng gate(悬浮门)之中，一个门能够寄存1bit数据
这是一个闪存颗粒的内部结构，每一行是其间一个page，一个page由33792个方才那样的门组成。
wordline是字线，由其操控读取和写入，所以page是最小的读写单位 而这个block是最小的擦除单位。
咱们知道闪存颗粒分为SLC MLC TLC 这就是因为对电压的分级不同。
